Новосибирские учёные заявили о создании флеш-памяти, которая станет самым быстрым устройством во всём мире. По словам специалистов, она превзойдёт свои аналоги в три раза.
– Необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости, – пишет "Наука в Сибири".
Флешка создана на основе мультиграфена. Для таких устройств необходим тонкий туннельный слой, который увеличивает быстродействие в два-три раза.
Учёные уже разработали образцы, однако пока в масштабное производство устройство запускаться не будет.
– Для коммерческого применения, скажем в России, требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет около пяти млрд долларов, – рассказывает кандидат физико-математических наук Юрий Новиков.