Корпорация Samsung заявила, что начинает массовый выпуск микросхем памяти NAND, созданных по новой технологии - "3D Vertical NAND" (или V-NAND).
Максимальный объем "новых" микросхем, планируемых к выпуску в данный момент, равен одному терабиту на чип. Учитывая то, что в обычном твердотельном 2,5-дюймовом винчестере их стоит 8 штук, новые микросхемы позволяют создать SSD-винчестер объемом один терабайт. Также возможно использование NAND-микросхем, созданных по новой технологии, в USB-флешках и в смартфонах. Там увеличение объема файлового хранилища ожидается до 384 Гб.
Samsung не объявила на данный момент о планах создания новых винчестеров, но никто из аналитиков не сомневается, что первым дешевым V-NAND SSD-винчестером станет винчестер от Samsung. И произойдет это, скорее всего, довольно скоро.